Etude de la résistivité de couches minces polycristallines de MoSe2

Abstract

Des couches minces de MoSe2 deposees par pulverisation diode continue sont traitees par recuits, en presence de vapeur de selenium puis sous vide, de facon a obtenir des couches polycristallines stoechiometriques. La composition et la purete des couches sont contrǒlees par spectroscopie d'electrons. Leur homogeneite est etudiee a la microsonde electronique. La conductivite est mesuree entre 80 et 700 K. Les resultats experimentaux montrent que les couches sont homogenes et que la quantite d'oxygene presente dans les couches est tres faible. Les resultats des mesures electriques mettent en evidence l'existence de deux domaines de temperatures. A haute temperature (T ≫ 250 K) la conductivite est limitee par les joints de grains. Aux basses temperatures la variation de la conductivite avec la temperature verifie une loi en T−¼ ce qui correspond a une conduction par sauts a distance variable entre etats localises. MoSe2 thin films deposited by dc diode sputtering are annealed under selenium atmospheric pressure to obtain stoichiometric polycrystalline films. The composition, purity, and homogeneity of the films are checked by electron spectroscopy and electron microprobe analysis. The temperature dependence of the electrical conductivity is measured between 80 and 700 K. The experimental results show that the films are homogeneous and that the oxygen content in the layers is very low. The electrical data reveal the existence of two temperature regions. At high temperature (T > 250 K) the conductivity is limited by grain boundary scattering. At low temperatures the conductivity varies with temperature according to a T−¼ law corresponding to hopping conduction via localized states.