A new hybrid SOI LDMOS-IGBT power transistor

1995 IEEE TENCON. IEEE Region 10 International Conference on Microelectronics and VLSI. 'Asia-Pacific Microelectronics 2000'. Proceedings Pub Date : 1995-11-06 DOI:10.1109/TENCON.1995.496434

J. Zeng, P. Mawby, M. Towers, K. Board

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Abstract

A new hybrid LDMOS-IGBT structure using SOI film is reported. The new device integrates the advantages of SOI technology, the conductivity modulation of IGBT and the high switching speed of DMOSFET.

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