EVALUATION OF THE INFLUENCE OF FINFET STRUCTURE PARAMETERS ON ELECTRICAL CHARACTERISTICS BY TCAD

Mathematical modeling in materials science of electronic component Pub Date : 2021-10-27 DOI:10.29003/m2489.mmmsec-2021/120-123

K. Petrosyants, D. Silkin, Dmitry Popov

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Abstract

In this work, the influence of changes in the FinFET structure parameters, such as the dimensions of the gate stack layers, the shape of the fin or doping levels, on the electrical characteristics of the device is investigated with the TCAD modeling.

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用tcad评估翅片结构参数对电学特性的影响

在这项工作中，使用TCAD建模研究了FinFET结构参数的变化，如栅极堆叠层的尺寸，鳍的形状或掺杂水平，对器件电特性的影响。

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