Influence of Electron-Phonon Interactions on the Spectral Properties of Defects in Hexagonal Boron Nitride

Quantum Information and Measurement (QIM) V: Quantum Technologies Pub Date : 2019-04-04 DOI:10.1364/QIM.2019.S4A.2

O. Arı, V. Fırat, Nahit Polat, O. Cakir, S. Ateş

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Abstract

We present temperature-dependent micro-PL studies on a single defect in hexagonal boron nitride. A zero-phonon line emission accompanied by Stokes and anti-Stokes phonon sidebands (≈ 6.5 meV) with a Debye-Waller factor of 0.59 is observed.

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