High speed silicon Mach-Zehnder modulator with circuit model analysis

2012 Asia Communications and Photonics Conference (ACP) Pub Date : 2012-11-07 DOI:10.1364/ACPC.2012.AS3B.3

Hao Xu, Xi Xiao, Xianyao Li, Yingtao Hu, Zhiyong Li, T. Chu, Yude Yu, Jinzhong Yu

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Abstract

We report a 40 Gbit/s traveling-wave silicon Mach-Zehnder modulator fabricated in a commercial 0.18 μm CMOS process. A distributed circuit model is proposed to characterize the bandwidth performance of this modulator.

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高速硅马赫-曾德尔调制器电路模型分析

我们报道了一个40 Gbit/s的行波硅马赫-曾达调制器，其制造工艺为商用0.18 μm CMOS工艺。提出了一种分布式电路模型来表征该调制器的带宽性能。

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