GaAs converter IC's for C-band DBS receivers

Proceedings of 1994 IEEE GaAs IC Symposium Pub Date : 1994-10-16 DOI:10.1109/GAAS.1994.636957

S. Yoshida, Kazunari Satoh, T. Miya, T. Umemoto, H. Hirayama, Katsunori Miyagaki, J. Leong

引用次数: 2

Abstract

GaAs converter IC's for C-band DBS receivers were developed on 1.1/spl times/1.6 mm/sup 2/ chip using a 0.5 /spl mu/m MESFET process. This converter IC includes four(4) functional blocks; i.e. low noise amplifier(LNA), mixer(MIXER), oscillator(OSC) and IF amplifier(IFA). This converter IC has 2.7 dB noise figure and 43 dB conversion gain, and shows a tight gain distribution.

查看原文本刊更多论文

用于c波段DBS接收机的GaAs转换器IC

采用0.5 /spl mu/m MESFET工艺，在1.1/spl次/1.6 mm/sup /芯片上开发了用于c波段DBS接收机的GaAs转换器IC。该转换器IC包括四(4)个功能块;即低噪声放大器(LNA)，混频器(mixer)，振荡器(OSC)和中频放大器(IFA)。该转换器IC的噪声系数为2.7 dB，转换增益为43 dB，增益分布紧密。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

Proceedings of 1994 IEEE GaAs IC Symposium

自引率

0.00%

发文量