A deep sub-micron SRAM cell design and analysis methodology

Proceedings of the 44th IEEE 2001 Midwest Symposium on Circuits and Systems. MWSCAS 2001 (Cat. No.01CH37257) Pub Date : 2001-08-14 DOI:10.1109/MWSCAS.2001.986322

D. Kang, Yong-Bin Kim

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Abstract

This paper presents a comprehensive SRAM design and diagnosis methodology including optimization paradigms on cell stability test against power supply fluctuations, SRAM access time, bit line voltage switching, and static noise margin analysis of a SRAM cell.

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一种深亚微米SRAM单元设计与分析方法

本文提出了一种全面的SRAM设计和诊断方法，包括针对电源波动的单元稳定性测试、SRAM访问时间、位线电压切换和SRAM单元的静态噪声裕度分析的优化范例。

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Proceedings of the 44th IEEE 2001 Midwest Symposium on Circuits and Systems. MWSCAS 2001 (Cat. No.01CH37257)

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