Dépôt par couche atomique spatiale (SALD)

David Muñoz-Rojas
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Abstract

L’ALD Spatial (SALD) est une variation de l’ALD ou les precurseurs sont injectes en des endroits differents, et separes par une region inerte. La croissance du film est realisee par exposition du substrat a des emplacements contenant des precurseurs differents. Dans cet article, les principes fondamentaux de la SALD et son developpement historique sont presentes. Ensuite, une description succincte des differents reacteurs developpes a ce jour est fournie, suivie par la description des aspects de dynamique des fluides et les defis techniques particuliers associes a la SALD. Enfin, certaines des applications de la SALD sont decrites.
空间原子层沉积(SALD)
空间ald (SALD)是ald的一种变体,在ald中,前体被注入不同的位置,并由惰性区域分隔。薄膜的生长是通过将基材暴露在含有不同前驱体的位置来实现的。本文介绍了SALD的基本原理及其历史发展。然后简要描述了迄今为止开发的各种反应器,然后描述了流体动力学方面和与SALD相关的特殊技术挑战。最后,描述了SALD的一些应用。
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