Record-low thresholds of InGaAsN/GaAs SQWs lasers

2004 IEEE 19th International Semiconductor Laser Conference, 2004. Conference Digest. Pub Date : 2004-09-21 DOI:10.1109/ISLC.2004.1382759

R. Averbeck, G. Jaschke, L. Geelhaar, H. Riechert

引用次数: 1

Abstract

We present a systematic study on realising low-threshold, long-wavelength lasers based on simplemost InGaAsN/GaAs SWQ structures grown on GaAs by plasma-assisted MBE. Record-low threshold current densities up to 1430 nm are reported.

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创纪录的低阈值InGaAsN/GaAs sqw激光器

我们提出了一项系统的研究，基于在GaAs上生长的最简单的InGaAsN/GaAs SWQ结构，通过等离子体辅助MBE实现低阈值，长波长激光器。据报道，低阈值电流密度可达1430nm。

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2004 IEEE 19th International Semiconductor Laser Conference, 2004. Conference Digest.

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