Distributed approach for modeling integrated MESFET/HFET devices

1996 26th European Microwave Conference Pub Date : 1996-10-01 DOI:10.1109/EUMA.1996.337635

W. Stiebler, M. Matthes, T. Koppel, G. Bock

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Abstract

To model the distributed nature of an integrated MESFET/ HFET device for MMIC applications we introduce lossless transmission lines for the feeding structure, capacitive transmission lines for the "Cold-FET" and a new element for the frequency dependence of the gate-resistance due to the skin effect.

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集成MESFET/HFET器件的分布式建模方法

为了模拟用于MMIC应用的集成MESFET/ HFET器件的分布特性，我们为馈电结构引入了无损传输线，为“冷场效应管”引入了电容传输线，并为由于集肤效应而导致的栅极电阻的频率依赖性引入了新元件。

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1996 26th European Microwave Conference

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