АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОКСИДА ГАФНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ УСТАНОВКИ «ИЗОФАЗ Т. 200-01»

Nanoindustry Russia Pub Date : 2022-05-27 DOI:10.22184/1993-8578.2022.15.8s.548.552

С.С. Зюзин, Я.Г. Яссеев, А. А. Резванов, Виталий Витальевич Панин, В. А. Гвоздев, Е. С. Горнев

引用次数: 0

Abstract

В данной работе представлены результаты осаждения тонких пленок оксида гафния с использованием отечественной установки «Изофаз Т. 200-01», разработанной НИИТМ. В качестве прекурсоров были использованы TEMAH (тетракис(этилметиламино)гафний(IV)) и плазма кислорода. Были получены тонкие пленки различной толщины (100-300 А) с отличной равномерностью по толщине и высокого качества.

查看原文本刊更多论文

用“200-01”装置对氧化薄膜的原子层沉积

在这篇论文中，niitm开发的“同构200-01”装置的薄膜沉积结果显示。TEMAH(四聚氰胺)和氧等离子体被用作前体。不同厚度(100-300 a)的薄膜被提取出来，厚度均匀，质量高。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊