A 4Mb 0.18 /spl mu/m 1T1MTJ Toggle MRAM memory

2004 IEEE International Solid-State Circuits Conference (IEEE Cat. No.04CH37519) Pub Date : 2004-09-13 DOI:10.1109/ISSCC.2004.1332585

J. Nahas, T. Andre, Chitra K. Subramanian, B. Garni, H. Lin, A. Omair, W. Martino

引用次数: 10

Abstract

The 4.5/spl times/6.3mm/sup 2/ 25ns cycle-time 4Mb Toggle MRAM memory, built in 0.18 /spl mu/m 5M CMOS technology, uses a 1.55 /spl mu/m/sup 2/ bit cell with a single toggling magneto tunnel junction. The memory uses uni-directional programming currents with isolated write and read paths and balanced current mirror sense amplifier.

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一个4Mb 0.18 /spl mu/m 1T1MTJ切换MRAM内存

4.5/spl次/6.3mm/sup 2/ 25ns周期时间4Mb切换MRAM内存，内置0.18 /spl μ m 5M CMOS技术，使用1.55 /spl μ m/sup 2/ bit单元和单个切换磁隧道结。存储器采用单向编程电流，具有隔离的读写路径和平衡电流镜像感测放大器。

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2004 IEEE International Solid-State Circuits Conference (IEEE Cat. No.04CH37519)

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