Growth of high Indium Percentage InGaSb on InP substrates using the interfacial misfit dislocation array growth mode

2022 Compound Semiconductor Week (CSW) Pub Date : 2022-06-01 DOI:10.1109/CSW55288.2022.9930345

F. F. Ince, A. T. Newell, K. Reilly, S. Seth, T. Rotter, A. Mansoori, S. Addamane, D. Shima, L. Miroshnik, B. Rummel, A. Li, T. Sinno, S.M. Han, G. Balakrishnan

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Abstract

We present the growth of In0.53Ga0.47Sb on InP using the interfacial misfit dislocation growth mode. The growth is performed by using an intermediate InGaAs layer and achieving an As for Sb anion exchange. Characterization results show the formation of an interfacial misfit dislocation array, however the epilayer shows significant phase segregation.

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利用界面错配位错阵列生长模式在InP衬底上生长高铟含量InGaSb

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