Realization of a 65K dynamic RAM device making exclusive use of VMOS transistors

1977 International Electron Devices Meeting Pub Date : 1900-01-01 DOI:10.1109/IEDM.1977.189328

P.W. von Basse, D.G. Edwards, D. Essl, R. Hofmann, R. Losehand

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Abstract

A VMOS RAM, implemented without planar transistors requires only 6 mask steps instead of 7 and offers more options in process optimization, for example in the selection of the doping concentrations.

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专用VMOS晶体管的65K动态RAM器件的实现

没有平面晶体管的VMOS RAM只需要6个掩模步骤，而不是7个，并且在工艺优化方面提供了更多的选择，例如在掺杂浓度的选择上。

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1977 International Electron Devices Meeting

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