Patterned zinc-diffused structures for improved avalanche probabilities in InGaAs/InP single photon detectors

IEEE Photonic Society 24th Annual Meeting Pub Date : 2011-12-22 DOI:10.1109/PHO.2011.6110572

J. Cheng, Y. Lo

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Abstract

Optimal fabrication of the p-i-n junction in a high performance InGaAs/InP single photon avalanche photodiode is challenging. We present a novel design with patterned Zn-diffusion to greatly improve the detection efficiency and reduce dark count.

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IEEE Photonic Society 24th Annual Meeting

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