Spatial Quantization Accounting in Single-Electron Device Simulation

2007 17th International Crimean Conference - Microwave & Telecommunication Technology Pub Date : 2007-10-29 DOI:10.1109/CRMICO.2007.4368864

I. I. Abramov, A. L. Baranoff

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Abstract

Physical model of single-electron transistor taking into account spatial quantization effect is described.

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单电子器件仿真中的空间量化计算

描述了考虑空间量化效应的单电子晶体管的物理模型。

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