Nanophotonic hot electron devices for UV Si-photonics

2016 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series (SUM) Pub Date : 2016-07-11 DOI:10.1109/PHOSST.2016.7548796

Xiaoxin Wang, Zhiyuan Wang, Jifeng Liu

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Abstract

We report solar-bind UV detectors based on nanophotonic metal-oxide-semiconductor (MOS) structures. The nanostructured metal acts as the UV absorber, while the large meta/oxide interfacial energy barrier (>4 eV) eliminates the solar response. Quantum efficiencies >100% are demonstrated due to hot-electron induced avalanche gain in Si.

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