Свойства электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта Штарка в двуслойном гребенчатом волноводе InAlGaAs на подложке InP

Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019» Pub Date : 2019-05-24 DOI:10.34077/rcsp2019-86

Р.М. Тазиев

{"title":"Свойства электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта\nШтарка в двуслойном гребенчатом волноводе InAlGaAs на подложке InP","authors":"Р.М. Тазиев","doi":"10.34077/rcsp2019-86","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Выполнено численное исследование электрооптического модулятора на основе интерферометра\nМаха-Цендера (см. Фиг. 1) с делителями пучка MMI 12 и 22 в структуре с квантовыми ямами на\nсверхрешетке In0.52Al0.09Ga0.38As/In0.53Al0.3Ga0.17As на подложке фосфида индия. Данные структуры\nобеспечивают высокую эффективность электрооптического управления и формируют двойной\nгребенчатый волновод с уникальными оптическим свойствами. В частности, путем изменения\nширины волновода можно изменять поперечный размер фундаментальной моды и, тем самым,\nобеспечить более простую и эффективную стыковку с оптическим волокном. Наличие квантоворазмерного эффекта Штарка обеспечивает высокую эффективность управления. В частности, для\nквантовых ям шириной 15 нм можно реализовать электрооптический модулятор бегущей волны с\nуправляющим напряжением 1 вольт на активной длине модулятора 100 мкм. Проведено описание\nоптических и СВЧ свойств электрооптического модулятора на полупроводниковых структурах\nInAlGaAs на подложках InP. Основные выводы проиллюстрированы методами численного\nмоделирования с использование оптического пакета от Rsoft [1].","PeriodicalId":118786,"journal":{"name":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","volume":"78 1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-05-24","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-86","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Выполнено численное исследование электрооптического модулятора на основе интерферометра Маха-Цендера (см. Фиг. 1) с делителями пучка MMI 12 и 22 в структуре с квантовыми ямами на сверхрешетке In0.52Al0.09Ga0.38As/In0.53Al0.3Ga0.17As на подложке фосфида индия. Данные структуры обеспечивают высокую эффективность электрооптического управления и формируют двойной гребенчатый волновод с уникальными оптическим свойствами. В частности, путем изменения ширины волновода можно изменять поперечный размер фундаментальной моды и, тем самым, обеспечить более простую и эффективную стыковку с оптическим волокном. Наличие квантоворазмерного эффекта Штарка обеспечивает высокую эффективность управления. В частности, для квантовых ям шириной 15 нм можно реализовать электрооптический модулятор бегущей волны с управляющим напряжением 1 вольт на активной длине модулятора 100 мкм. Проведено описание оптических и СВЧ свойств электрооптического модулятора на полупроводниковых структурах InAlGaAs на подложках InP. Основные выводы проиллюстрированы методами численного моделирования с использование оптического пакета от Rsoft [1].

查看原文本刊更多论文

电光调制器的特性，基于量子量子化效应，在InP底座上的双顶叶波导InAlGaAs。

数值研究电光调制器执行基于интерферометрамахцендер(见fig 1)和梁MMI分配器22在结构和量子阱насверхрешеткIn0.52Al0.09Ga0.38As / In0.53Al0.3Ga0.17As衬底磷化印度。这些结构提供了高性能的电子控制，并形成了具有独特光学特性的双冠波导。特别是，波导宽度的变化可以改变基本时装的横向尺寸，从而使与光纤更简单、更有效地对接。斯塔克的量子维效应提供了很高的控制效率。特别是，对于15纳米宽的量子坑，可以通过主动调制器100 mkm长度上的1伏特电压来实现电流光调制器。在InP底座上，用半导体结构ininalgaas描述了电调制器的光学和微波特性。主要的结论是由Rsoft(1)使用光学包的数值匹配方法说明的。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»

自引率

0.00%

发文量