Investigation of Low-Temperature Epitaxial Regrowth of Ion-Implanted Amorphous GaAs

Abstract

A detailed description of optical reflectivity technique for monitoring laser-induced solid phase epitaxial regrowth in real time is given. An example illustrates the use of this technique for the investigation of interface structures. By cooling the sample the epitaxial regrowth of the crystalline/amorphous interface is stopped before the interface reaches the surface. These stages are additionally investigated by TEM- and RBS-studies which illustrate the dependence of the crystalline quality on the regrowth process. Es wird eine genaue Beschreibung der optischen Echtzeitreflexionstechnik zur Aufzeichnung von laserinduzierter Festphasenepitaxie gegeben. Die Anwendung dieser Methode zur Untersuchung der Struktur der Phasengrenze wird an einem Beispiel gezeigt. Bevor die kristallin/amorphe Phasengrenze die Oberflache erreicht, wird die Epitaxie durch Kuhlung gestoppt. Diese Zustande werden zusatzlich durch TEM- und RBS-Messungen untersucht. Sie zeigen die Kristallqualitat in Abhangigkeit vom Wachstumsprozes.