Design of a novel 8-port memory cell

2010 International SoC Design Conference Pub Date : 2010-11-01 DOI:10.1109/SOCDC.2010.5682876

Jian Chang, K. Man, E. Lim

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Abstract

A general procedure to calculate the stability of the multiport memory cell is proposed. Noise margins of the 4-port and 8-port SRAM cell are studied. A novel 8-port memory cell is proposed to reduce the read access time.

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一种新型8端口存储单元的设计

提出了一种计算多端口存储单元稳定性的通用方法。研究了4口和8口SRAM单元的噪声裕度。为了减少读访问时间，提出了一种新颖的8端口存储单元。

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