Влияние поверхности на фотопроводимость плёнок Pb1-xSnxTe:In с составом 0,28 ≤ х ≤ 0,32

{"title":"Влияние поверхности на фотопроводимость плёнок Pb1-xSnxTe:In\nс составом 0,28 ≤ х ≤ 0,32","authors":"","doi":"10.34077/rcsp2019-64","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Фоточувствительность плёнок Pb1-xSnxTe:In с х0,3 (кр.  46мкм) в ИК области определяется как\nфундаментальным поглощением [1], так и наличием локализованных состояний в запрещённой зоне\n[2, 3], что позволяет продвинуться в более длинноволновую область спектра. При создании\nфотоприёмных структур на основе тонких плёнок большое значение имеет определение влияния\nповерхности на фоточувствительность при различных химических и технологических обработках\nповерхности.\nПри Т = 4,2 К были исследованы легированные In эпитаксиальные слои Pb1-xSnxTe/BaF2 с составом\n0,28 ≤ х ≤ 0,32 (толщиной d ≈ 1 мкм) и концентрацией In (0,5 – 3) ат. %, которые при Т < 20 K имеют\nнизкую проводимость, сравнимую с диалектиками. Источником освещения служили светодиодом с λ\n= 0,63 мкм и абсолютно чёрное тело. Химическая обработка поверхности проводилась в растворе\nизопропилового спирта, насыщенного парами соляной кислоты. Картины дифракции быстрых\nэлектронов (ДБЭ) были получены в камере МЛЭ «Катунь» при давлении Р = 2∙10-6 Па. Физикохимическое состояние поверхности исследовалось методом рентгеновской фотоэлектронной\nспектроскопии (РФЭС). Картины ДБЭ и спектры РФЭС были получены для исходной поверхности,\nпосле отжига до температуры ~ 350 °С, после обработки в травителе, а также при последовательной\nобработке в травителе и отжиге в вакууме до температуры ~ 350 °С.\nОбнаружено, что обработка поверхности сильно влияет на вольтамперные характеристики (ВАХ)\nи временные зависимости фототока. Наблюдалось возрастание темнового тока до 105\nраз при\nнапряжении смещения 1 В. Величина фототока\nтакже возрастала. Качественно и количественно\nизменялись временные зависимости фототока.\nПри выдержке образцов на воздухе в течение\nнескольких дней ВАХ-и и временные\nзависимости тока возвращались к значениям до\nобработки поверхности. На рисунке\nпредставлены временные зависимости фототока\nдо (1), сразу после химической обработки\nповерхности (2), через двое (3), трое (4) и пять\n(5) суток и характерные постоянные времени\nнарастания фототока. Стрелкой показан момент\nвключения освещения.\nРезультаты измерений сопоставлены с\nданными РФЭС по составу поверхности плёнок\nв зависимости от её обработки.\nПоказано, что изменения фотопроводимости могут быть обусловлены изменением состояния\nповерхности, вызванного удалением собственного окисла и нарушением стехиометрии состава\nвблизи поверхности.","PeriodicalId":118786,"journal":{"name":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","volume":"10 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-05-24","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-64","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

Фоточувствительность плёнок Pb1-xSnxTe:In с х0,3 (кр.  46мкм) в ИК области определяется как фундаментальным поглощением [1], так и наличием локализованных состояний в запрещённой зоне [2, 3], что позволяет продвинуться в более длинноволновую область спектра. При создании фотоприёмных структур на основе тонких плёнок большое значение имеет определение влияния поверхности на фоточувствительность при различных химических и технологических обработках поверхности. При Т = 4,2 К были исследованы легированные In эпитаксиальные слои Pb1-xSnxTe/BaF2 с составом 0,28 ≤ х ≤ 0,32 (толщиной d ≈ 1 мкм) и концентрацией In (0,5 – 3) ат. %, которые при Т < 20 K имеют низкую проводимость, сравнимую с диалектиками. Источником освещения служили светодиодом с λ = 0,63 мкм и абсолютно чёрное тело. Химическая обработка поверхности проводилась в растворе изопропилового спирта, насыщенного парами соляной кислоты. Картины дифракции быстрых электронов (ДБЭ) были получены в камере МЛЭ «Катунь» при давлении Р = 2∙10-6 Па. Физикохимическое состояние поверхности исследовалось методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС). Картины ДБЭ и спектры РФЭС были получены для исходной поверхности, после отжига до температуры ~ 350 °С, после обработки в травителе, а также при последовательной обработке в травителе и отжиге в вакууме до температуры ~ 350 °С. Обнаружено, что обработка поверхности сильно влияет на вольтамперные характеристики (ВАХ) и временные зависимости фототока. Наблюдалось возрастание темнового тока до 105 раз при напряжении смещения 1 В. Величина фототока также возрастала. Качественно и количественно изменялись временные зависимости фототока. При выдержке образцов на воздухе в течение нескольких дней ВАХ-и и временные зависимости тока возвращались к значениям до обработки поверхности. На рисунке представлены временные зависимости фототока до (1), сразу после химической обработки поверхности (2), через двое (3), трое (4) и пять (5) суток и характерные постоянные времени нарастания фототока. Стрелкой показан момент включения освещения. Результаты измерений сопоставлены с данными РФЭС по составу поверхности плёнок в зависимости от её обработки. Показано, что изменения фотопроводимости могут быть обусловлены изменением состояния поверхности, вызванного удалением собственного окисла и нарушением стехиометрии состава вблизи поверхности.
表面对Pb1-xSnxTe光电传导的影响:合成器为0.28。
光敏胶卷Pb1 - xSnxTe: In h0.3(裁谈会。46мкм)红外领域定义какфундаментальн[1],以及局部态吸收在禁区[2,3]在更长波光谱区域,允许先进。在创建基于薄膜的光电接收结构时,识别不同化学和技术处理对光敏的影响至关重要。在t = 4.2 k中,Pb1- xsnte /BaF2外侧合金层由0.28和0.32组成,浓度为0.5 - 3。与辩证法相比,这一比例较低。光源是一个带有0.63 mkm的led和一个完全黑色的身体。表面的化学处理是在溶液异丙醇中进行的,溶液中含有对盐酸。快速电子衍射(db)的图像是在r = 2 -6 pa的压力下从mir“线图”中提取的。表面的物理化学状态是由x射线光电光谱学(rfes)研究的。绘画ДБЭРФЭС光谱得到基准表面退火后,到~ 350°c温度травител加工后травителпоследовательнойобработк中以及在真空退火温度~ 350°c。表面处理被发现对电量特征(wah)和暂时的光电依赖有很大的影响。暗电流增加到105倍于1 v位移的电压,光电也增加了。暂时的光电依赖在质量和数量上发生了变化。在连续几天的空气中保持样品,电流的时间依赖又回到了表面加工的意义上。图显示,在化学处理后(2)、2(3)、3(4)和5(5)天之后,光电暂时依赖(1)。箭头显示了灯光的瞬间。测量结果与pronnox表面的组成相匹配,这取决于处理方法。光电传导的变化可能是由于表面条件的变化,其自身氧化物的去除和对地表成分的调节。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 求助全文
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
0
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术官方微信