Фоторезисторы из CdxHg1-xTe с радиальным смещением и эффектом эксклюзии носителей заряда

Abstract

Расположение одного контакта в центре пиксела, а второго – по его периметру позволяет осуществить радиальное смещение. Принципиальная схема такого исполнения контактной системы ФЧЭ приведена на рис.1. Для изготовления ФЧЭ использовались гетероэпитаксиальные структуры, полученные в Институте физики полупроводников Сибирского отделения РАН молекулярно-лучевой эпитаксией (ГЭСКРТМЛЭ): х=0,210-0,215, n=(3,9–4,1)×1014 ,µn, = (0,86–0,92)×105 см2 /Вс и временем фотоответаτоб=(1,3 – 2,2)мкс при 77К. Зависимости удельной обнаружительной способности D*(λmax,1200,1) и вольтовой чувствительности Su (λmax) от напряжения смещения для ФЧЭ с радиальным смещением при плоском угле зрения 42° и 14° приведены на рис.2. Максимальные величины D*(λmax,1200,1) получены при напряжениях, соответствующих началу пролета носителей заряда: 5,4×1010 , 1,35×1011смГц1/2/Вт при плоском угле зрения 42°и 14°, соответственно. При напряжении смещения, соответствующем величине вольтовой чувствительности 1,5×105 В/Вт и плоском угле зрения 14° (Uсм=0,01 В), выделяемая мощность составила не более 0,5 мкВт на один элемент, а D*(λmax,1200,1) – не менее 1,2×1011 смГц1/2/Вт. В ФЧЭ с радиальным смещением, как и для ФЧЭ в классическом исполнении [1], наблюдается эксклюзия неосновных носителей заряда, генерируемых фоновым излучением.