INFRARED DETECTING BEHAVIOURS OF Cu2NiSnS4 PHOTODIODES

Abstract

Al/p-Si/Cu2NiSnS4/Al yapidaki fotodedektorler sol-jel yontemi kullanilarak uretilmistir. Taramali elektron mikroskobu (SEM) kullanilarak fotodedektorler yapisal olarak incelenmistir. Mikroskopik incelemeler sonucunda Cu2NiSnS4 yapinin nanoformda sentezlendigi ve nanoparcaciklarin granuler yapida bir arada bulundugu gozlemlenmistir. Akim – zaman ve akim - voltaj gafikleri Al/p-Si/Cu2NiSnS4/Al yapida uretilmis olan diyotlarimizin kizilotesini isigi hisedebilme ozellikleri gosterdigini gostermistir. Fotodedektor ozelliklerini incelemede kullanilan lineer dinamik oran, idalite faktoru, fotohassasiyet, fototepki karasteriklikleri gibi karaktersistik ozellikler calismamizda detaylica incelenmistir. Incelenen fotodiyot karakteristikleri de fotodiyotlarimizin kizilotesi dedektor ozellikleri gosterdigini dogrulamistir. Al/p-Si/Cu2NiSnS4/Al yapidaki diyotlarimiza ait bariyer yuksekligi 0.466 eV olarak hesaplanirken idealite faktoru ise 5.16 olarak bulunmustur. Sonuclar incelendiginde Al/p-Si/Cu2NiSnS4/Al yapida uretilmis fotodiyotlarin infrared tarama cihazlarinda kullanilmaya uygun oldugu anlasilmaktadir.