{"title":"Электрофизические и оптические свойства органических светодиодных структур\nс эмиссионным слоем ЯК-203","authors":"","doi":"10.34077/rcsp2019-164","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Исследования свойств новых типов многослойных систем необходимы для разработок\nорганических светоизлучающих диодов (ОСИД), которые востребованы для создания дисплеев,\nсистем освещения большой площади, транзисторов и фотоэлектрических устройств [1]. Одной из\nперспективных является ОСИД структура ITO/PEDOT:PSS/-NPD/ЯK-203/BCP/LiF/Al. Эмиссионный\nслой создавался из вещества ЯК-203 (2-N,2-N,8-N-тетракис(4-метоксифенил)-(дибензотиофен-5,5-\nдиоксид)-2,8-диамин), в котором наблюдается эффект термоактивированной люминесценции, что\nприводит к замедлению электролюминесценции при скоростях интерконверсии, близких к скорости\nизлучательных процессов. В данной работе свойства ОСИД структуры со слоем ЯК-203 исследованы\nпри помощи методов адмиттанса и переходной электролюминесценции.\nПоказано, что при напряжениях, соответствующих эффективной излучательной рекомбинации\nносителей заряда, наблюдается значительное уменьшение дифференциальной емкости структур.\nЧастотные зависимости приведенной проводимости\nсветодиодных структур хорошо согласуются с\nрезультатами численного моделирования в рамках\nметода эквивалентных схем. Изменения частотных\nзависимостей адмиттанса при изменении\nтемпературы наиболее выражены в диапазоне 200–\n300 К и менее заметны в области температур 8–\n200 К. Для определения подвижности носителей\nзаряда предложено использовать методику,\nоснованную на измерении частотных зависимостей\nмнимой части импеданса структур [2,3]. Изучены\nзависимости подвижности носителей заряда от\nнапряжения смещения и температуры (рисунок).\nНайденные значения подвижности несколько\nменьше значений, определенных методом\nпереходной электролюминесценции.","PeriodicalId":118786,"journal":{"name":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","volume":"14 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-05-24","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-164","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
Исследования свойств новых типов многослойных систем необходимы для разработок
органических светоизлучающих диодов (ОСИД), которые востребованы для создания дисплеев,
систем освещения большой площади, транзисторов и фотоэлектрических устройств [1]. Одной из
перспективных является ОСИД структура ITO/PEDOT:PSS/-NPD/ЯK-203/BCP/LiF/Al. Эмиссионный
слой создавался из вещества ЯК-203 (2-N,2-N,8-N-тетракис(4-метоксифенил)-(дибензотиофен-5,5-
диоксид)-2,8-диамин), в котором наблюдается эффект термоактивированной люминесценции, что
приводит к замедлению электролюминесценции при скоростях интерконверсии, близких к скорости
излучательных процессов. В данной работе свойства ОСИД структуры со слоем ЯК-203 исследованы
при помощи методов адмиттанса и переходной электролюминесценции.
Показано, что при напряжениях, соответствующих эффективной излучательной рекомбинации
носителей заряда, наблюдается значительное уменьшение дифференциальной емкости структур.
Частотные зависимости приведенной проводимости
светодиодных структур хорошо согласуются с
результатами численного моделирования в рамках
метода эквивалентных схем. Изменения частотных
зависимостей адмиттанса при изменении
температуры наиболее выражены в диапазоне 200–
300 К и менее заметны в области температур 8–
200 К. Для определения подвижности носителей
заряда предложено использовать методику,
основанную на измерении частотных зависимостей
мнимой части импеданса структур [2,3]. Изучены
зависимости подвижности носителей заряда от
напряжения смещения и температуры (рисунок).
Найденные значения подвижности несколько
меньше значений, определенных методом
переходной электролюминесценции.