30 dB of AGC from an FET

1985 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest Pub Date : 1985-06-04 DOI:10.1109/MWSYM.1985.1132054

B. Hallford

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Abstract

A low-noise single-gate GaAs MESFET has been successfully used to provide a 30-dB AGC range for low-noise amplifiers in down-converters used in microwave communication systems from 4 to 11 GHz. Threshold NF is not affected. With 30 dB of AGC, the FET amplifier NF is 18 dB.

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从场效应管产生30db的AGC

低噪声单门GaAs MESFET已成功用于为微波通信系统中4至11 GHz的下变频器中的低噪声放大器提供30 db的AGC范围。阈值NF不受影响。当AGC为30 dB时，FET放大器的NF为18 dB。

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1985 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest

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