Crystallography Reports

Crystallography Reports
期刊缩写:
Crystallogr. Rep.
影响因子:
0.6
ISSN:
print: 1063-7745
on-line: 1562-689X
研究领域:
化学-晶体学
创刊年份:
2000年
h-index:
31
自引率:
28.60%
Gold OA文章占比:
2.62%
原创研究文献占比:
92.05%
SCI收录类型:
Science Citation Index Expanded (SCIE) || Scopus (CiteScore)
期刊介绍英文:
Crystallography Reports is a journal that publishes original articles short communications, and reviews on various aspects of crystallography: diffraction and scattering of X-rays, electrons, and neutrons, determination of crystal structure of inorganic and organic substances, including proteins and other biological substances; UV-VIS and IR spectroscopy; growth, imperfect structure and physical properties of crystals; thin films, liquid crystals, nanomaterials, partially disordered systems, and the methods of studies.
CiteScore:
CiteScoreSJRSNIPCiteScore排名
1.10.1740.377
学科
排名
百分位
大类:Chemistry
小类:General Chemistry
325 / 408
20%
大类:Materials Science
小类:General Materials Science
380 / 463
17%
大类:Physics and Astronomy
小类:Condensed Matter Physics
371 / 434
14%
发文信息
中科院SCI期刊分区
大类 小类 TOP期刊 综述期刊
4区 材料科学
4区 晶体学 CRYSTALLOGRAPHY
WOS期刊分区
学科分类
Q4CRYSTALLOGRAPHY
历年影响因子
2015年0.5610
2016年0.5630
2017年0.7620
2018年0.7510
2019年0.6610
2020年0.7350
2021年0.6670
2022年0.7000
2023年0.6000
历年发表
2012年144
2013年177
2014年172
2015年184
2016年164
2017年189
2018年201
2019年202
2020年203
2021年181
2022年96
投稿信息
出版周期:
Bimonthly
出版语言:
English
出版国家(地区):
RUSSIA
审稿时长:
4-8 weeks
出版商:
Pleiades Publishing
编辑部地址:
MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 233 SPRING ST, NEW YORK, USA, NY, 10013-1578

Crystallography Reports - 最新文献

Refinement of Unit Cell Parameters on Modern Single-Crystal Diffractometers. Study of the Anisotropy of the α-33S Single Crystal Thermal Expansion

Pub Date : 2024-09-27 DOI: 10.1134/S1063774524601412 P. S. Serebrennikova, A. V. Panchenko, N. B. Egorov, S. A. Gromilov

Induction of Ductile Modes of Ice Fracture and Drastic Enhancement of Its Fracture Energy by Means of Introduction of Nanoscale Additives

Pub Date : 2024-09-27 DOI: 10.1134/S1063774524601473 Yu. I. Golovin, V. M. Vasyukov, V. V. Rodaev, A. A. Samodurov, D. Yu. Golovin, A. I. Tyurin, S. S. Razlivalova, V. M. Buznik

Light-Emitting AlGaAs/GaAs Diodes Based on InGaAs Strain-Compensated Quantum Wells with Minimized Internal Losses Caused by 940-nm Radiation Absorption

Pub Date : 2024-09-27 DOI: 10.1134/S1063774524601485 R. A. Salii, A. V. Malevskaya, D. A. Malevskii, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, N. A. Kalyuzhnyy
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