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2017 IEEE International Memory Workshop (IMW) - 最新文献
Single ITO/HfOx/TiN Complementary Switch with a Wide Read Voltage Window for Selector-Less Crossbar RRAM Application
Pub Date : 2017-05-14 DOI: 10.1109/IMW.2017.7939103 Haizhong Zhang, D. Ang, Yu Zhou, K. S. YewData-Retention Characteristics Comparison of 2D and 3D TLC NAND Flash Memories
Pub Date : 2017-05-14 DOI: 10.1109/IMW.2017.7939077 Kyoji Mizoguchi, Tomonori Takahashi, S. Aritome, K. TakeuchiAEP-LDPC ECC with Error Dispersion Coding for Burst Error Reduction of 2D and 3D NAND Flash Memories
Pub Date : 2017-05-14 DOI: 10.1109/IMW.2017.7939070 Toshiki Nakamura, Yoshiaki Deguchi, K. Takeuchi
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