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Gallium Nitride Materials and Devices XVIII - 最新文献
Modeling of capacitance phenomena in nitride VCSELs
Pub Date : 2023-03-27 DOI: 10.1117/12.2650690 P. Śpiewak, M. Wasiak, M. Marciniak, R. SarzałaDemonstration and optimization of c-plane InGaN based edge emitting laser diodes grown on strain relaxed template
Pub Date : 2023-03-27 DOI: 10.1117/12.2661601 Hsun-Ming Chang, Philip Chan, N. Lim, Vincent Rienzi, Haojun Zhang, M. Gordon, S. Denbaars, S. Nakamura
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