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2008 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA) - 最新文献
Optimized Scaling of Diode Array Design for 32nm Node Phase Change Memory
Pub Date : 2008-04-21 DOI: 10.1109/VTSA.2008.4530833 Kailiang Lu, B. Rajendran, T. Happ, R. Ng, H. Lung, C. Lam, M. ChanRealization of Silicon-Germanium-Tin (SiGeSn) Source/Drain Stressors by Sn implant and Solid Phase Epitaxy for strain engineering in SiGe channel P-MOSFETs
Pub Date : 2008-04-21 DOI: 10.1109/VTSA.2008.4530830 G.H. Wang, E. Toh, T. Chan, T. Osipowicz, Y. Foo, C. Tung, G. Lo, G. Samudra, Y. YeoRESET-Enhancing Features for Via-Heated Phase-Change Memory Cells
Pub Date : 2008-04-21 DOI: 10.1109/VTSA.2008.4530835 F. Chen, J. Yeh, D. Chao, M. Chen, P. Yen, C. Lee, J.-W. Chen, W.S. Chen, M. Kao, M. Tsai
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