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2009 International Semiconductor Device Research Symposium - 最新文献
On the accuracy of current TCAD hot carrier injection models for the simulation of degradation phenomena in nanoscale devices
Pub Date : 2009-12-10 DOI: 10.1109/ISDRS.2009.5378310 A. Zaka, Q. Rafhay, P. Palestri, R. Clerc, D. Rideau, L. Selmi, C. Tavernier, H. JaouenInvestigations on pre-oxidation nitrogen implantation for the improvement of channel mobility in 4H-SiC MOSFETs
Pub Date : 2009-12-01 DOI: 10.1109/ISDRS.2009.5378260 S. Dhar, S. Ryu, A. AgarwalCrystal quality and conductivity type of epitaxial (002) ZnO films on (100) Si substrates for device applications
Pub Date : 2009-12-01 DOI: 10.1109/ISDRS.2009.5378112 S. E. Sardari, A. Iliadis, M. Stamataki, D. Tsamakis, Nikos Konofaos
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