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2000 IEEE International SOI Conference. Proceedings (Cat. No.00CH37125) - 最新文献
Suppression of stress induced drain leakage current of SOI MOSFETs by using partial trench isolation technology
Pub Date : 2000-12-01 DOI: 10.1109/SOI.2000.892779 T. Iwamatsu, T. Ipposhi, T. Uchida, S. Maegawa, M. InuishiLinearity and low-noise performance of SOIMOSFETs for RF applications
Pub Date : 2000-12-01 DOI: 10.1109/SOI.2000.892754 A. Adan, S. Shitara, N. Tanba, M. Fukumi, T. YoshimasuLarge-grain polysilicon MOSFET for 3-D integrated circuits
Pub Date : 2000-10-02 DOI: 10.1109/SOI.2000.892750 V.W.C. Chan, P. Chan, M. Chan
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