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2000 IEEE International SOI Conference. Proceedings (Cat. No.00CH37125) - 最新文献
Suppression of stress induced drain leakage current of SOI MOSFETs by using partial trench isolation technology
Pub Date : 2000-12-01 DOI: 10.1109/SOI.2000.892779 T. Iwamatsu, T. Ipposhi, T. Uchida, S. Maegawa, M. InuishiLinearity and low-noise performance of SOIMOSFETs for RF applications
Pub Date : 2000-12-01 DOI: 10.1109/SOI.2000.892754 A. Adan, S. Shitara, N. Tanba, M. Fukumi, T. YoshimasuRF systems based on silicon-on-sapphire technology
Pub Date : 2000-12-01 DOI: 10.1109/SOI.2000.892755 I. Lagnado, P. de la Houssaye, W. Dubbelday, S. Koester, R. Hammond, J. Chu, J. Ott, P. Mooney, L. Perraud, K. Jenkins
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