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2015 IEEE International Reliability Physics Symposium - 最新文献
An investigation of capacitance aging model for extreme low-k and high-k dielectrics
Pub Date : 2015-06-01 DOI: 10.1109/IRPS.2015.7112700 M. Chang, Y. Lee, S. Y. Lee, C. Chiu, D. Maji, K. WuTrapping characteristics and parametric shifts in lateral GaN HEMTs with SiO2/AlGaN gate stacks
Pub Date : 2015-06-01 DOI: 10.1109/IRPS.2015.7112689 M. King, J. Dickerson, S. Dasgupta, M. Marinella, R. Kaplar, D. Piedra, Min-Nan Sun, T. PalaciosNegative bias instability in 4H-SiC MOSFETS: Evidence for structural changes in the SiC
Pub Date : 2015-06-01 DOI: 10.1109/IRPS.2015.7112718 M. Anders, P. Lenahan, A. Lelis
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