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2010 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report - 最新文献
Characterization of anomalous erase effects in 48 nm TANOS memory cells
Pub Date : 2010-10-01 DOI: 10.1109/IIRW.2010.5706494 Douglas A. Loehr, R. Hoffmann, A. Naumann, J. Paul, K. Seidel, M. Czernohorsky, V. BeyerRecovery of negative and positive bias temperature stress in pMOSFETs
Pub Date : 2010-10-01 DOI: 10.1109/IIRW.2010.5706473 P. Hehenberger, H. Reisinger, T. GrasserImpact of the storage layer charging on Random Telegraph Noise behavior of sub-50nm charge-trap-based TANOS and floating-gate memory cells
Pub Date : 2010-10-01 DOI: 10.1109/IIRW.2010.5706496 K. Seidel, R. Hoffmann, A. Naumann, J. Paul, D. Lohr, M. Czernohorsky, V. Beyer
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