查看最新文献
订阅
分享
1892发文信息
历年影响因子
历年发表
投稿信息
1998 IEEE International SOI Conference Proceedings (Cat No.98CH36199) - 最新文献
Effects of body reverse pulse bias on geometric component of charge pumping current in FD SOI MOSFETs
Pub Date : 1998-12-01 DOI: 10.1109/SOI.1998.723120 T.N. Duyet, H. Ishikuro, M. Takamiya, T. Saraya, T. HiramotoElectrical detection of defects in SIMOX buried oxides: pipes and precipitates
Pub Date : 1998-10-05 DOI: 10.1109/SOI.1998.723164 P. Roitman, M. Edelstein, S. KrauseSwitching speed enhancement of the LDMOSFETs using partial-SOI technology
Pub Date : 1998-10-05 DOI: 10.1109/SOI.1998.723107 H. Lim, F. Udrea, W. Milne, D. Garner
免责声明：
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
京公网安备 11010802042870号
