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2004 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings - 最新文献
Thermal degradation of DRAM retention time: Characterization and improving techniques
Pub Date : 2004-04-25 DOI: 10.1109/RELPHY.2004.1315442 Y.I. Kim, K. Yang, W. LeeEffects of hot spot hopping and drain ballasting in integrated vertical DMOS devices under TLP stress
Pub Date : 2004-04-25 DOI: 10.1109/RELPHY.2004.1315358 P. Moens, S. Bychikhin, K. Reynders, D. Pogany, M. ZubeidatCause of erase speed degradation during two-bit per cell operation of a trapping nitride storage flash memory cell
Pub Date : 2004-04-25 DOI: 10.1109/RELPHY.2004.1315383 W. Tsai, N. Zous, M.H. Chou, S. Huang, H.Y. Chen, Y.H. Yeh, M.Y. Liu, C. Yeh, T. Wang, J. Ku, Chih-Yuan Lu
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