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2009 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices - 最新文献
A Fast Void Detection Algorithm for Three-Dimensional Deposition Simulation
Pub Date : 2009-10-23 DOI: 10.1109/SISPAD.2009.5290221 O. Ertl, S. SelberherrEffect of Impact-Ionization-Generated Holes on the Breakdown Mechanism in LDMOS Devices
Pub Date : 2009-10-23 DOI: 10.1109/SISPAD.2009.5290211 T. Sakuda, N. Sadachika, Y. Oritsuki, M. Yokomichi, M. Miyake, T. Kajiwara, H. Kikuchihara, U. Feldmann, H. Mattausch, M. Miura-MattauschA Model for Switching Traps in Amorphous Oxides
Pub Date : 2009-10-23 DOI: 10.1109/SISPAD.2009.5290226 W. Goes, T. Grasser, M. Karner, B. Kaczer
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