查看最新文献
订阅
分享
382发文信息
历年影响因子
历年发表
投稿信息
2018 Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS) - 最新文献
Accurate error bit mode analysis of STT-MRAM chip with a novel current measurement module implemented to gigabit class memory test system
Pub Date : 2018-10-01 DOI: 10.1109/NVMTS.2018.8603113 R. Tamura, I. Mori, N. Watanabe, H. Koike, T. EndohImprovement of Endurance and Data-retention in 40nm TaOX-based ReRAM by Finalize Verify
Pub Date : 2018-10-01 DOI: 10.1109/NVMTS.2018.8603105 S. Fukuyama, S. Matsuda, R. Yasuhara, K. TakeuchiField-free Spin-orbit Torque Switching of Perpendicular Magnetic Tunnel Junction Utilizing Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy Pulse Width Optimization
Pub Date : 2018-10-01 DOI: 10.1109/NVMTS.2018.8603107 Zong-You Luo, Ya-Jui Tsou, Yi-Cheng Dong, Ching Lu, Cheewee Liu
免责声明：
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
京公网安备 11010802042870号
