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18th International Reliability Physics Symposium - 最新文献
Effects of Silicon Nitride Encapsulation on MOS Device Stability
Pub Date : 1980-04-08 DOI: 10.1109/IRPS.1980.362948 R. C. Sun, J. Clemens, J. T. NelsonElectromigration Resistance of Fine-Line Al for VLSI Applications
Pub Date : 1980-04-08 DOI: 10.1109/IRPS.1980.362934 S. Vaidya, D. Fraser, A. K. SinhaReliability Analysis of Several Conductors at High Current Densities for use in Bubble Memories
Pub Date : 1980-04-08 DOI: 10.1109/IRPS.1980.362920 M. Shearer, F. Quadri
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