查看最新文献
订阅
分享
3045发文信息
历年影响因子
历年发表
投稿信息
2021 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia) - 最新文献
Dynamic gate leakage current of p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT under positive bias Conditions
Pub Date : 2021-08-25 DOI: 10.1109/wipdaasia51810.2021.9656087 Yu Sun, Maojun Wang, Wen Lei, C.J. HanAnalysis of the Influence of Vibration and Thermal Vibration Coupling on the Power Module
Pub Date : 2021-08-25 DOI: 10.1109/WiPDAAsia51810.2021.9656042 Jiajia Guan, Chi Zhang, Cai Chen, Yong KangAnalysis of Crosstalk and Suppression Methods for Enhancement-Mode GaN HEMTs in A Phase-Leg Topology
Pub Date : 2021-08-25 DOI: 10.1109/WiPDAAsia51810.2021.9656068 Haihong Qin, Wenlu Wang, F. Bu, Zihe Peng, A. Liu, S. Bai
免责声明：
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
京公网安备 11010802042870号
