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2021 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA) - 最新文献
Improved Switching Time in Negative Capacitance Junctionless Transistors
Pub Date : 2021-04-19 DOI: 10.1109/VLSI-TSA51926.2021.9440137 Manish Gupta, Vita Pi-Ho HuSuppressed Source-to-Drain Tunneling and Short-Channel Effects for MFIS-type InGaAs and Si Negative-Capacitance FinFETs
Pub Date : 2021-04-19 DOI: 10.1109/VLSI-TSA51926.2021.9440110 Shih-En Huang, P. SuSub-60 mV/dec Germanium Nanowire Field-Effect Transistors with 2-nm-thick Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2
Pub Date : 2021-04-19 DOI: 10.1109/vlsi-tsa51926.2021.9440120 Y.-W. Lin, T. Yu, C. Su, Y.-N. Chen, H. Chang, G. Luo, C. Wu, W. Wu, K. Lin, F. Hou, Y. Wu, W. Yeh
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