查看最新文献
订阅
分享
1342发文信息
历年影响因子
历年发表
投稿信息
1992 IEEE International SOI Conference - 最新文献
Leakage Currents Reduction at the Gate Edge of Sdb Soi Nmos Transistors
Pub Date : 1992-10-06 DOI: 10.1109/SOI.1992.664789 Sungweon Kang, Kwangsoo Kim, Dojin Kim, Sang-Won KangElectron Traps, Structural Change, and Hydrogen Related Simox Defects
Pub Date : 1992-10-06 DOI: 10.1109/SOI.1992.664778 J. F. Conley, P. Lenahan, P. RoitmanSimulation of Interface Coupling and Short-Channel Effects in Fully-Depleted Soi Mosfet's
Pub Date : 1992-10-06 DOI: 10.1109/SOI.1992.664798 A. Hassein-bey, S. Cristoloveanu
免责声明：
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
京公网安备 11010802042870号
