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2008 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuits Symposium - 最新文献
Using GaN FETs for High Power RF Switches
Pub Date : 2008-11-17 DOI: 10.1109/CSICS.2008.22 J. M. CarrollRFIC Design Methodologies Using Perfectly Calibrated Internal Ports
Pub Date : 2008-11-17 DOI: 10.1109/CSICS.2008.13 J. RautioX-Band Robust AlGaN/GaN Receiver MMICs with over 41 dBm Power Handling
Pub Date : 2008-11-17 DOI: 10.1109/CSICS.2008.23 J. Janssen, M. van Heijningen, G. Provenzano, G.C. Visser, E. Morvan, F. V. van Vliet
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