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2012 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai - 最新文献
118GHz CMOS amplifier with group delay variation of 11.2ps and 3dB bandwidth of 20.4GHz
Pub Date : 2012-05-09 DOI: 10.1109/IMFEDK.2012.6218630 A. Orii, K. Katayama, M. Motoyoshi, K. Takano, M. FujishimaEffects of post annealing on IZO thin-film transistor characteristics
Pub Date : 2012-05-09 DOI: 10.1109/IMFEDK.2012.6218610 R. Morita, T. Maemoto, S. SasaLow power and more accurate temperature sensor with an integrated dual slope AD converter
Pub Date : 2012-05-09 DOI: 10.1109/IMFEDK.2012.6218588 T. Nagahisa, S. Kubota, H. Watanabe
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