查看最新文献
订阅
分享
702发文信息
历年影响因子
历年发表
投稿信息
2019 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW) - 最新文献
A Study on Evaluation of Interface Defect Density on High-K/SiO2/Si and SiO2/Si Gate Stacks using Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy
Pub Date : 2019-10-01 DOI: 10.1109/IIRW47491.2019.8989881 Koharu Suzuki, K. Yamasue, Yasuo ChoImpact of Hot Carrier Stress on RF FOMs in 10-nm Bulk N-Channel FinFETs
Pub Date : 2019-10-01 DOI: 10.1109/IIRW47491.2019.8989912 Anshul Gupta, Charu Gupta, R. Vega, A. Dixit
免责声明：
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
京公网安备 11010802042870号
