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2013 13th International Workshop on Junction Technology (IWJT) - 最新文献
Thermal behavior of residual damage in low-dose implanted silicon after high-temperature rapid thermal annealing
Pub Date : 2013-06-06 DOI: 10.1109/IWJT.2013.6644503 A. Sagara, S. ShibataInfluence of STI stress on leakage current in buried P-N junction
Pub Date : 2013-06-06 DOI: 10.1109/IWJT.2013.6644517 T. Tomimatsu, T. Yamaguchi, M. Mizuo, T. Yamashita, Y. Kawasaki, A. IshiiCharacteristic of pn junction formed in 4H-SiC by using excimer-laser processing in phosphoric solution
Pub Date : 2013-06-06 DOI: 10.1109/IWJT.2013.6644506 Ikeda Akihiro, K. Nishi, Daichi Marui, H. Ikenoue, T. Asano
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