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2008 IEEE International Reliability Physics Symposium - 最新文献
Investigation of the influence of process and design on soft error rate in integrated CMOS technologies thanks to Monte Carlo simulation
Pub Date : 2008-07-09 DOI: 10.1109/RELPHY.2008.4559010 C. Weulersse, A. Bougerol, G. Hubert, F. Wrobel, T. Carrière, R. Gaillard, N. BuardDegradation of reliability of high-k gate dielectrics caused by point defects and residual stress
Pub Date : 2008-07-09 DOI: 10.1109/RELPHY.2008.4559002 H. Miura, K. Suzuki, T. Ikoma, S. Samukawa, H. Yoshikawa, S. UedaCharacterization of device degradation of poly-Si TFTS under dynamic operation with drain biased
Pub Date : 2008-07-09 DOI: 10.1109/RELPHY.2008.4559000 Y. Tai, Shih‐Che Huang, C. Chan
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