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Proceedings of the 2000 BIPOLAR/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Cat. No.00CH37124) - 最新文献
A 0.15 /spl mu/m/0.6 dB-NF/sub min/ RF BiCMOS technology using cobalt silicide ground shields
Pub Date : 2000-09-24 DOI: 10.1109/BIPOL.2000.886182 H. Fujii, H. Suzuki, H. Yoshida, T. YamazakiFuture developments and technology options in cellular phone power amplifiers: from power amplifier to integrated RF front-end module
Pub Date : 2000-09-24 DOI: 10.1109/BIPOL.2000.886187 R. JosBipolar issues in advanced power BiCMOS technology
Pub Date : 2000-09-24 DOI: 10.1109/BIPOL.2000.886166 T. Efland, J. Devore, A. Hastings, S. Pendharkar, R. Teggatz
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