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2009 Proceedings of the European Solid State Device Research Conference - 最新文献
Magnetic field induced gate leakage current in 65nm nMOS transistors
Pub Date : 2009-11-13 DOI: 10.1109/ESSDERC.2009.5331452 E. Gutiérrez-D., J. Molina-R, P. Garcia-R, J. Martinez-C., F. GuarínExperimental investigation of transport mechanisms through HfO2 gate stacks in nMOS transistors
Pub Date : 2009-11-13 DOI: 10.1109/ESSDERC.2009.5331318 J. Coignus, C. Leroux, R. Clerc, G. Ghibaudo, G. Reimbold, F. BoulangerAnalysis and optimization of erasing waveform in phase change memory arrays
Pub Date : 2009-11-13 DOI: 10.1109/ESSDERC.2009.5331471 C. Zambelli, A. Chimenton, P. Olivo
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