查看最新文献
订阅
分享
1531发文信息
历年影响因子
历年发表
投稿信息
International Conference on Molecular Bean Epitaxy - 最新文献
Growth of shallow InAs HEMTs with metamorphic buffer
Pub Date : 2003-04-01 DOI: 10.1016/S0022-0248(02)02404-1 C. Heyn, S. Mendach, S. Schnull, S. Lohr, S. Beyer, W. HansenSelf-assembled nanoholes by molecular beam epitaxial growth and atomically precise in situ etching
Pub Date : 2002-12-10 DOI: 10.1109/MBE.2002.1037886 S. Kiravittaya, R. Songmuang, O. Schmidt, S. PanyakeowNanofabrication of heavily carbon doped p-type GaAs by atomic force microscope nano-oxidation process and its application to single hole transistors
Pub Date : 2002-12-10 DOI: 10.1109/MBE.2002.1037806 Y. Matsuzaki, A. Yamada, M. Konagai
免责声明：
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
京公网安备 11010802042870号
