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2017 17th International Workshop on Junction Technology (IWJT) - 最新文献
Formation of n-type Ge on insulator by low-temperature Sb-induced layer exchange crystallization
Pub Date : 2017-06-30 DOI: 10.23919/IWJT.2017.7966503 Hongmiao Gao, Rikuta Aoki, M. Sasaki, M. Miyao, T. SadohCo-implantation germanium with laser thermal annealing for the formation of np junction
Pub Date : 2017-06-30 DOI: 10.23919/IWJT.2017.7966525 N. N. Rashid, UmarAbdul Aziz, S. Aid, A. Centeno, Suwa Akira, H. Ikenoue, F. Xie3D-IC technology and reliability challenges
Pub Date : 2017-06-01 DOI: 10.23919/IWJT.2017.7966513 Tetsu Tanaka
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